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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRFZ48_V01 | Power MOSFET 文件：574.58 Kbytes Page：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Small signal Schottky diode Features ■ Low leakage current losses ■ Negligible switching losses ■ Low forward and reverse recovery times ■ Extremely fast switching ■ Surface mount device ■ Low capacitance diode | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 47 k and R1 = 2.2 k, R2 = 47 k Features and benefits 100 mA output current capability Built-in bias resistors Simplifies circuit design Reduces component count Reduces pick and place costs AEC-Q101 qualified | NEXPERIA 安世 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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