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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFZ46NSTRR | HEXFET POWER MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr | IRF |   |
IRFZ46NSTRR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ46NSTRR
- 制造商
International Rectifier
- 功能描述
Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
更新时间：2025-10-6 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3315 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
IR |
NEW |
TO-263 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
IR |
24+ |
TO-220 |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IR |
23+ |
TO263 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
23+ |
TO263 |
7000 |
||||
IR |
14+ |
TO-220 |
8 |
只做原装正品 |
|||
IR |
22+ |
TO263 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
TO263 |
60000 |
全新原装现货 |
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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