isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 8.3A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 80V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.23Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

isc N-Channel MOSFET Transistor

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Aluminum Capacitors Axial Long-Life, DIN-Based

FEATURES • Long useful life: up to 15 000 h at 85 °C • Taped versions up to case Ø 15 mm x 30 mm available for automatic insertion • Charge and discharge proof • Polarized aluminum electrolytic capacitors, non-solid electrolyte • Axial leads, cylindrical aluminum case, insulated with a blu

GABINETE S ALMENDRA 111 X 83 X 64 mm

Descripción Es un gabinete electrónico de escritorio, fabricado en dos piezas con plástico ABS. Aplicaciones Este gabinete puede ser usado para guardar componentes electrónicos en su interior, para proteger diseños de PCB o para montar diversos proyectos de electrónica.

GABINETE S GRIS 111 X 83 X 64 mm

Descripción Es un gabinete electrónico de escritorio, fabricado en dos piezas con plástico ABS. Aplicaciones Este gabinete puede ser usado para guardar componentes electrónicos en su interior, para proteger diseños de PCB o para montar diversos proyectos de electrónica.

Aluminum Capacitors Axial Long Life, DIN-Based

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High breakdown voltage 10KV/15KV

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