发布企业：深圳市诺美思科技有限公司时间：2021-12-6 9:46:00
IRFS3607TRLPBF 具体参数对照如下
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Advanced Process Technology | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. |   | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
Single N-Channel MOSFET | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体 | | ||
HEXFET Power MOSFET | IRF International Rectifier | | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS | IRF International Rectifier | | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS | IRF International Rectifier | | ||
ThinkiSemi 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETs | THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体上海思祁半导体有限公司 | | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS | IRF International Rectifier | | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS | IRF International Rectifier | | ||
3/8 Square Drive Sockets, SAE | ETC2List of Unclassifed Manufacturers ETC未分类制造商 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 | 25+ | TO-263 | 20300 | INFINEON/英飞凌原装特价IRFS3607TRLPBF即刻询购立享优惠#长期有货 | |||
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Infineon(英飞凌) | 24+ | D2PAK | 7793 | 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
