IRFS3607TRLPBF 具体参数对照如下
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
