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位置：首页 > IC中文资料第869页 > IRFR9014TRR

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFR9014TRR

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
9014

NPNSILICONTRANSISTOR

FEATURES Powerdissipation PCM:0.4W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V

WINGSWing Shing Computer Components

Wing Shing Computer Components

WINGS
9014

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors NPNsilicon

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亚电器集团大亚电器集团有限公司Daya Electric Group Co., Ltd.

DAYA
9014

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups,A,B,C andD,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypethePNPtransistorST9015is recommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
9014

FairchildQFETforSynchronousRectification

Introduction FairchildiscurrentlydevelopingandmarketinganewQFETseriesthathasimprovedRDS(on),gatecharge,andswitchingspeedcharacteristics.ThesuperiorfeaturesoftheseQFETsareveryusefulforincreasingtheefficiencyoflowoutputvoltagepowersupplies,makingitspecially

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
9014

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE FEATURES *Hightotalpowerdissipation.(450mW) *ExcellenthFElinearity. *ComplementarytoUTC9015

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

IRFR9014TRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR9014TRR

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFR9014TRR供应商更多...

更新时间：2024-6-21 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市博浩通科技有限公司
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