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IRFR210BTM

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 200V, ID= 30 A RDS(ON)

Bychip

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IRFR210BTM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR210BTM

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

更新时间:2025-11-20 16:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
24+
SOT-252
4500
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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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