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位置：首页 > IC中文资料第4789页 > IRFR010

IRFR010价格

参考价格：￥3.8129

型号：IRFR010PBF 品牌：Vishay 备注：这里有IRFR010多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR010批发/采购报价，IRFR010行情走势销售排行榜，IRFR010报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR010

N-CHANNEL POWER MOSFET

Samsung

三星

IRFR010

Power MOSFET

DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR010

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF

IRFR010

Power MOSFET

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KERSEMI

IRFR010

Power MOSFET

FEATURES • Low drive current • Surface-mount • Fast switching • Ease of paralleling • Excellent temperature stability • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced lin

VishayVishay Siliconix

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IRFR010

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR010

AVALANCHE AND dv/dt RATED

Infineon

英飞凌

IRFR010

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：320.94 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR010_V01

Power MOSFET

FEATURES • Low drive current • Surface-mount • Fast switching • Ease of paralleling • Excellent temperature stability • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced lin

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR010PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d

KERSEMI

IRFR010PBF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR010/SiHFR010

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR010PBF

Power MOSFET

文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR010PBF-BE3

Power MOSFET

文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages

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IRFR010TRLPBF

Power MOSFET

文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages

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IRFR010TRPBF

Power MOSFET

文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

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IRFR010TRRPBF

Power MOSFET

文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

010C

Low starting threshold

文件：865.32 Kbytes Page：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

010GCG

Package in 12mm tape on 7 diameter reels.

文件：664.97 Kbytes Page：11 Pages

TO-GRACE

至恩科技

010KFKT

Meet ROHS, Green Product.

文件：672.66 Kbytes Page：11 Pages

TO-GRACE

至恩科技

010KGKT

Package in 8mm tape on 7 diameter reels.

文件：660.65 Kbytes Page：11 Pages

TO-GRACE

至恩科技

010KRKT

Package in 8mm tape on 7 diameter reels.

文件：660.37 Kbytes Page：11 Pages

TO-GRACE

至恩科技

IRFR010产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR010

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRFR010供应商更多...

更新时间：2025-11-20 17:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
IRFR010
IR
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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

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  • IRFR13N20DTRPBF

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

    2021-10-12

  • IRFP460PBF

    IRFP460PBF

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  • IRFP460PBF 原装正品 现货供应

    IRFP460PBF 原装现货供应 0755-28892389 13713856319 QQ:2639752116

    2021-3-12

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