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IRFPF30PB

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude

VishayVishay Siliconix

威世

MOSFET N-CH900V HEXFET MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世

IRFPF30PB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFPF30PB

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
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