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IRFPC48

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.82ohm, Id=8.9A)

HEXFET® Power MOSFET ● Dynamic dv/dt Rating ● Repetitive Avalanche Rated ● Isolated Central Mounting Hole ● Fast Switching ● Ease of Paralleling ● Simple Drive Requirements

IRF

IRFPC48

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.82ohm, Id=8.9A)

INFINEON

英飞凌

IRFPC48产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFPC48

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-8-4 18:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

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  • IRFR13N20DTRPBF

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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