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IRFP9243

P-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability

SAMSUNG

三星

Avalanche-Energy-Rated P-Channel Power MOSFETs

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

P-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability

SAMSUNG

三星

INFRARED REMOTE CONTROL SIGNAL TRANSMISSION LSI

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TOSHIBA

东芝

INFRARED REMOTE CONTROL SIGNAL TRANSMISSION LSI

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TOSHIBA

东芝

INFRARED REMOTE CONTROL SIGNAL TRANSMISSION LSI

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-7-23 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
23+
NA
6500
全新原装假一赔十
IR
24+/25+
2000
原装正品现货库存价优
INR
23+
TO-3
44353
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
INTREC
25+
NA
2486
专做原装正品,假一罚百!
IR
05+
原厂原装
4291
只做全新原装真实现货供应
IR
23+
65480
IR
24+
SOT-223
59
INR
23+
TO-3
5000
原装正品,假一罚十
VISHAY/威世
23+
ThroughHole
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
23+
TO-247
8000
只做原装现货

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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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