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IRFP9233	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF9233	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF9233	-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs Description These devices are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for	INTERSIL	INTERSIL
LA9233	Analog Signal Processor ASP for CD players? Analog Signal Processor ASP for CD players	SANYO 三洋	SANYO
LA9233M	Analog Signal Processor ASP for CD players? Analog Signal Processor ASP for CD players	SANYO 三洋	SANYO

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更新时间：2026-3-17 21:20:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
标准国际(香港)有限公司	IRFP9240	IRFP9240	25+	134	134		询价
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IRFR15N20DTRPBF
表面贴装型 N 通道 200 V 17A（Tc） 3W（Ta），140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
2022-10-19
IRFP4668PBF 全新原装现货
IRFP4668PBF
2022-6-27
IRFR13N20DTRPBF
联系人张生电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12
IRFR13N20DTRPBF
属性参数值商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道
2021-10-12
IRFP460PBF
IRFP460PBF
2021-5-20
IRFP460PBF 原装正品现货供应
IRFP460PBF 原装现货供应 0755-28892389 13713856319 QQ:2639752116
2021-3-12