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位置：首页 > IC中文资料第3513页 > IRFP350

IRFP350价格

参考价格：￥47.1517

型号：IRFP350 品牌：Vishay 备注：这里有IRFP350多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFP350批发/采购报价，IRFP350行情走势销售排行榜，IRFP350报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFP350

N-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES ● Low RDS(on) ● Improved Inducttive ruggedness ● Fast switching times ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Low input capacitance ● Extended safe operating area ● Improved high temperature reliability ● TO-3P package

Samsung

三星

IRFP350

16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET

This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching

Intersil

IRFP350

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Isolated central mounting hole • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inf

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350

Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A)

DESCRIPTION Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels

IRF

IRFP350

N-Channel Power Mosfet

文件：637.84 Kbytes Page：6 Pages

ARTSCHIP

IRFP350

16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET

RENESAS

瑞萨

IRFP350

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350

Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A)

Infineon

英飞凌

IRFP350

SEMICONDUCTORS

文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

IRFP350

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFP350

Power MOSFET

文件：1.56932 Mbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350

Power MOSFET

文件：1.5891 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350

Power MOSFET

文件：1.61166 Mbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350_V02

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Isolated central mounting hole • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inf

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350A

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 17A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 400V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.3Ω(Max) • Fast Switching

ISC

无锡固电

IRFP350A

Advanced Power MOSFET

FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 400V ♦ Low RDS(ON): 0.254Ω (Typ.)

Fairchild

仙童半导体

IRFP350LC

Power MOSFET

FEATURES • Ultra low gate charge • Reduced gate drive requirement • Enhanced 30 VGS rating • Reduced Ciss, Coss, Crss • Isolated central mounting hole • Dynamic dV/dt rated • Repetitive avalanche rated • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350LC

Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A)

Description This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. The

IRF

IRFP350LC_V02

Power MOSFET

FEATURES • Ultra low gate charge • Reduced gate drive requirement • Enhanced 30 VGS rating • Reduced Ciss, Coss, Crss • Isolated central mounting hole • Dynamic dV/dt rated • Repetitive avalanche rated • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350_17

Power MOSFET

文件：1.5891 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350_V01

Power MOSFET

文件：1.61166 Mbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350FI

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：70.04 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFP350LC

isc N-Channel MOSFET ransistor

文件：409.62 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFP350LC

Power MOSFET

文件：1.98549 Mbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350LC

Power MOSFET

文件：1.33852 Mbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350LC_V01

Power MOSFET

文件：1.33852 Mbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350LCPBF

Power MOSFET

文件：1.33852 Mbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350LCPBF

Power MOSFET

文件：1.98549 Mbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350PBF

Power MOSFET

文件：1.56932 Mbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350PBF

Power MOSFET

文件：1.61166 Mbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP350PBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件：891.45 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRFP350R

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

350

HEADER STRIPS .100??Grid Solder Tail Single Row

文件：116.48 Kbytes Page：1 Pages

MILL-MAX

350

Low Inductance, Radial, Aluminum Electrolytic High Frequency, Solid Aluminum Top

文件：182.95 Kbytes Page：4 Pages

CDE

350

9x14mm Differential PECL High Frequency VCXO(416MHz to 832MHz)

文件：105.86 Kbytes Page：2 Pages

CTS

西迪斯

350

Celeron M Processor on 90 nm Process

文件：879.41 Kbytes Page：68 Pages

Intel

英特尔

350

Celeron D Processor

文件：1.75778 Mbytes Page：82 Pages

Intel

英特尔

IRFP350产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFP350

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 400V 16 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRFP350供应商更多...

更新时间：2025-12-26 19:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市明嘉莱科技有限公司
IRFP350LC
IR
24+
TO 3P
161008
明嘉莱只做原装正品现货
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IRFP350PBF
INFINEON/英飞凌
25+
TO-247
45000
INFINEON/英飞凌全新现货IRFP350PBF即刻询购立享优惠#长期有排单订
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深圳市科恒伟业电子有限公司
IRFP350PBF
VISHAY
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深圳市中联芯电子有限公司
IRFP350PBF
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深圳市赛尔通科技有限公司
IRFP350PBF
VISHAY
23+
TO-247
65400
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深圳市祥瑞智科技有限公司
IRFP350PBF
VISHAY
25+
TO-247
6000
原装正品!!!优势库存!0755-83210901
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深圳市欧立现代科技有限公司
IRFP350LC
IR
24+
TO-247AC
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全新原装现货,欢迎询购!!
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深圳市高捷芯城科技有限公司
IRFP350PBF
VISHAY(威世)
24+
TO-247AC-3
7810
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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深圳市恒创达实业有限公司
IRFP350PBF
IR
17+
TO-247
6200
100%原装正品现货
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深圳市昊创电子有限公司
IRFP350PBF
VISHAY
2021+
TO-247
9450
原装现货。
询价

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