型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFP253

N-Channel Power Mosfets

SAMSUNG

三星

IRFP253

N-Channel(Hexfet Transistors)

IRF

IRFP253

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

FEATURES: • Fast switching times • Low RDS(on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Excellent high voltage stability • Low input capacitance • Improved high temperature reliability APPLICATIONS: • Switching power supplies • Motor controls • Audio Amplifiers • Invert

IXYS

艾赛斯

IRFP253

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:67.82 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFP253

Trans MOSFET 150V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P

ETC

知名厂家

Two Axis, Ministick Controller With Optional Momentary Switch

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CTS

西迪斯

Direct replacement for T2 BA7s

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MARL

Axial Lead & Cartridge Fuses

文件:864.72 Kbytes Page:4 Pages

LITTELFUSE

力特

T-1 3/4 STANDARD MIDGET GROOVE

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Silicone Splicing Tape

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3M

IRFP253产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFP253

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    N-Channel Power Mosfets

更新时间:2026-3-1 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-3P
990000
明嘉莱只做原装正品现货
IR
00+
4
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
24+
1100
IR
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
IR
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
IR
18+
TO-247
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
IR
23+
TO-247
7000
IR
23+
65480
IR
22+
TO-247
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
SAMSUNG/三星
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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