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位置：首页 > IC中文资料第1115页 > IRFP048

IRFP048价格

参考价格：￥40.2795

型号：IRFP048 品牌：Int'L 备注：这里有IRFP048多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFP048批发/采购报价，IRFP048行情走势销售排行榜，IRFP048报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFP048

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)

Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. ● Dynamic dv/dt Rating ● Isolated Central Mounting Hole ● 175°C Operating Temperature ● Ease

IRF

IRFP048

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP048

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Isolated central mounting hole • 175 °C operating temperature • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about p

VishayVishay Siliconix

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IRFP048

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

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IRFP048

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)

Infineon

英飞凌

IRFP048

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件：444.81 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFP048

Power MOSFET

文件：1.61131 Mbytes Page：11 Pages

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IRFP048

Power MOSFET

文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages

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IRFP048

Power MOSFET

文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages

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IRFP048

Power MOSFET

文件：1.58435 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

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IRFP048_V02

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Isolated central mounting hole • 175 °C operating temperature • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about p

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IRFP048N

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Ultra Low On-resistance • Fast Switching • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤16mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

IRFP048N

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=64A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFP048PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude

VishayVishay Siliconix

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IRFP048R

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude

VishayVishay Siliconix

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IRFP048R

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Isolated central mounting hole • 175 °C operating temperature • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from

VishayVishay Siliconix

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IRFP048R_V01

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Isolated central mounting hole • 175 °C operating temperature • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from

VishayVishay Siliconix

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IRFP048RPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude

VishayVishay Siliconix

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IRFP048_11

Power MOSFET

文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

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IRFP048_V01

Power MOSFET

文件：1.61131 Mbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

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IRFP048NPBF

HEXFET Power MOSFET

文件：1.52411 Mbytes Page：9 Pages

IRF

IRFP048NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：1.52507 Mbytes Page：9 Pages

IRF

IRFP048NPBF..

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：1.52507 Mbytes Page：9 Pages

IRF

IRFP048NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：1.52507 Mbytes Page：9 Pages

IRF

IRFP048PBF

Power MOSFET

文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

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IRFP048PBF

Power MOSFET

文件：1.61131 Mbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP048R

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件：444.82 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFP048R

Power MOSFET

文件：1.91641 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP048R

Power MOSFET

文件：1.91641 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP048R/ SiHFP048R

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

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IRFP048R_11

Power MOSFET

文件：1.91641 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP048RPBF

HEXFET Power MOSFET

文件：2.31304 Mbytes Page：8 Pages

IRF

IRFP048RPBF

Power MOSFET

文件：1.91641 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP048RPBF

Power MOSFET

文件：1.29533 Mbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

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048RML

Aluminum Electrolytic Capacitors Radial Miniature Long Life

FEATURES • Very long useful life: 3000 h to 4000 h at 105 °C • High reliability • Miniaturized, high CV-product per unit volume • Charge and discharge proof • Polarized aluminum electrolytic capacitors, non-solid electrolyte • Radial leads, cylindrical aluminum case with pressure relief,

VishayVishay Siliconix

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048

Common Mode Choke

文件：493.81 Kbytes Page：1 Pages

TRACOPOWER

048RML

Aluminum Electrolytic Capacitors

文件：120.68 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

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048RML

Aluminum Capacitors Radial Miniature Long Life

文件：107.04 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

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048RML

Aluminum Capacitors Radial Miniature Long Life

文件：111.8 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

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IRFP048产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFP048

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 60V 70 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRFP048供应商更多...

更新时间：2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFP048
IR
24+
NA/
16383
原装现货,当天可交货,原型号开票
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深圳市明嘉莱科技有限公司
IRFP048其他被动元件
IR
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TO 3P
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IRFP048NPBF
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INFINEON/英飞凌全新特价IRFP048NPBF即刻询购立享优惠#长期有货
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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司
IRFP048
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管3P
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IRFP048
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深圳市赛美科科技有限公司
IRFP048
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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深圳市一线半导体有限公司
IRFP048
IR
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TO-247
18500
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
IRFP048NPBF
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原厂封装
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原装正品，实单请联系
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深圳市安富世纪电子有限公司
IRFP048
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TO-247AC
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深圳市星佑电子有限公司
IRFP048
IR
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TO-247
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