型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A)

Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

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英飞凌英飞凌科技公司

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PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A)

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N-ChannelMOSFETTransistor

文件:339.03 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IRFL31N20D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFL31N20D

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-21 18:18:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13
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原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
IR/INFIOEON
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16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
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INFINEON/英飞凌
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全新、原装

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