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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFIZ48VPBF | HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, | IRF |   |
IRFIZ48VPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFIZ48VPBF
- 功能描述
MOSFET MOSFT 60V 39A 12mOhm 73.3nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
17+ |
TO-220F |
6200 |
||||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220F |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2203 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IR |
20+ |
TO-220F |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IR |
0810+ |
TO-220F |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO220F |
60000 |
||||
IR |
24+ |
原厂封装 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IRMEX |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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IRFIZ48VPBF规格书下载地址
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2019-3-7
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