位置：首页 > IC中文资料 > IRFIZ44G_V01
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRFIZ44G_V01 | Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
NPN SILICON TRANSISTOR FEATURES * Collector-emitter voltage: VCEO=400V(PZTA44) VCEO=350V(PZTA45) * Collector current up to 300mA APPLICATION * Telephone switching * High voltage switch | DGNJDZ 南晶电子 | | ||
Power MOSFET 文件：806.99 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
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2019-3-7
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