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IRFIZ44价格

参考价格：￥7.7808

型号：IRFIZ44GPBF 品牌：Vishay 备注：这里有IRFIZ44多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFIZ44批发/采购报价，IRFIZ44行情走势销售排行榜，IRFIZ44报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRFIZ44G	HEXFET POWER MOSFET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below.	IRF	IRF
IRFIZ44G	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial appl	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIZ44G	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIZ44G_V01	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIZ44GPBF	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial appl	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIZ44N	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=31A) Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated)	IRF	IRF
IRFIZ44NPBF	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide	IRF	IRF
IRFIZ44NPBF	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIZ44A	Advanced Power MOSFET 文件：231.63 Kbytes Page：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFIZ44A	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：274.69 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIZ44G	Power MOSFET 文件：1.39603 Mbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIZ44G	Power MOSFET 文件：1.39603 Mbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIZ44G	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：318.98 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIZ44G	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIZ44G	HEXFET POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIZ44G_09	Power MOSFET 文件：1.39603 Mbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIZ44GPBF	Power MOSFET 文件：1.39603 Mbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIZ44GPBF	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：3.4413 Mbytes Page：7 Pages	IRF	IRF
IRFIZ44N	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.019 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIZ44N	采用 TO-220 FullPak 封装的 55V 单 N 通道功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIZ44NPBF	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：271.08 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF
IRFIZ44NPBF_15	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：271.08 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF

IRFIZ44产品属性

类型
描述
型号
IRFIZ44
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-251VAR

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更新时间：2025-12-27 19:09:00

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2019-3-7

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