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IRFIZ34G_V01

Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co

VishayVishay Siliconix

威世科技

Power MOSFET

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更新时间:2025-9-19 12:22:00
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