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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFIZ34G_V01 | Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Power MOSFET 文件：968.99 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
更新时间：2025-11-23 23:00:00
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