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IRFIZ34EPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFIZ34EPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFIZ34EPBF

  • 功能描述

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IR(国际整流器)
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封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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