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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFIZ34EPBF | HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | IRF |   |
IRFIZ34EPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFIZ34EPBF
- 功能描述
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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IR |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
I |
23+ |
TO-220F |
7000 |
||||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
2198 |
||||
IR |
12+ |
TO-220F |
3280 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
I |
22+ |
TO-220F |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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VISH |
23+ |
SOP8 |
4600 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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IR |
23+24 |
TO-220F |
59630 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
|||
IR |
24+ |
65230 |
IRFIZ34EPBF规格书下载地址
IRFIZ34EPBF参数引脚图相关
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2019-3-7
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