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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFIZ24EPBF | HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | IRF |   |
IRFIZ24EPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFIZ24EPBF
- 功能描述
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 71mOhms 13.3nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2026+ |
TO-220 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
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VIS |
23+ |
NA |
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专做原装正品,假一罚百! |
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IR |
TO-220F |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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INFINEON/英飞凌 |
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只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
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原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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IR |
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