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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFIZ24E | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.071ohm, Id=14A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated) | IRF International Rectifier |  |   |
HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide | IRF International Rectifier | | |
IRFIZ24E产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFIZ24E
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
2020+ |
TO-220F |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
IR |
21+ |
TO-220F |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-220F |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
IR |
17+ |
TO-220FullPak(Iso) |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-TO-220F |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
22+ |
TO-220F |
8900 |
英瑞芯只做原装正品!!! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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2019-3-7
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