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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFIZ24E | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.071ohm, Id=14A) Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated) | IRF |   | |
IRFIZ24E | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.071ohm, Id=14A) | Infineon 英飞凌 | | |
HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | IRF | |
IRFIZ24E产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFIZ24E
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
|||
IR |
24+ |
NA/ |
21944 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IR |
20+ |
TO-220F |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VIS |
23+ |
NA |
13256 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
TO-220F |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
IR |
24+ |
TO-220FullPak(Iso) |
8866 |
||||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
06+ |
TO-220 |
4000 |
全新原装 绝对有货 |
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2019-3-7
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