IRFIBF30GPBF价格

参考价格:¥11.7152

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFIBF30GPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS • Sink to Lead Creepage Dis. = 4.8 mm

IRF

IRFIBF30GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFIBF30GPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFIBF30GPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 11:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
25+23+
TO220F
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TO2203 Isolated Tab
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