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IRFIBC40GLCPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industri

IRF

IRFIBC40GLCPBF

MOSFET N-CH600V HEXFET MOSFET

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFIBC40GLCPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFIBC40GLCPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-10 22:30:00
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