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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
IRFI9Z14G_V01	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更新时间：2025-8-13 23:01:00

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2020-1-12
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2019-3-7