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位置：首页 > IC中文资料第1114页 > IRFI830

IRFI830价格

参考价格：￥5.1553

型号：IRFI830GPBF 品牌：Vishay 备注：这里有IRFI830多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFI830批发/采购报价，IRFI830行情走势销售排行榜，IRFI830报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFI830

500V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig

Fairchild

仙童半导体

IRFI830

500V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

IRFI830B

500V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig

Fairchild

仙童半导体

IRFI830G

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=3.1A)

DESCRIPTION Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial ap

IRF

IRFI830G

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI830GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI830G

Power MOSFET

文件：910.77 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI830G

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：979.57 Kbytes Page：4 Pages

DOINGTER

杜因特

IRFI830G

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=3.1A)

Infineon

英飞凌

IRFI830G_V01

Power MOSFET

文件：910.77 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI830GPBF

Power MOSFET

文件：910.77 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

830

PC Mount, Shocksafe 5x20mm Fuses

文件：84.08 Kbytes Page：1 Pages

Littelfuse

力特

830

ZERO ADJUSTMENT KNOB

文件：299.58 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

830

Precision Potentiometer

文件：158.35 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

830

Extra taps available upon request

文件：322.7 Kbytes Page：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

830

5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.72598 Mbytes Page：12 Pages

WXDH

东海半导体

IRFI830产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFI830

  • 功能描述

    MOSFET 500V N-Channel B-FET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRFI830供应商更多...

更新时间：2025-12-26 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFI830G
IR
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