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位置：首页 > IC中文资料第2226页 > IRFD120

IRFD120价格

参考价格：￥7.6690

型号：IRFD120 品牌：Vishay 备注：这里有IRFD120多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFD120批发/采购报价，IRFD120行情走势销售排行榜，IRFD120报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFD120

1.3A,100V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
IRFD120

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.27ohm,Id=1.3A)

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4-pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultip

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFD120

1.3A,100V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFD120

1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul

HARRIS

HARRIS corporation

HARRIS
IRFD120

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecomb

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFD120

PowerMOSFET

FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFD120

PowerMOSFET

文件：1.83877 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFD120_V01

PowerMOSFET

FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFD120PBF

HEXFETPowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4-pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultip

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFD120_17

PowerMOSFET

文件：1.83877 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFD120PBF

PowerMOSFET

文件：935 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
120

PrecisionWirewoundResistors

100Series/SMSeries/PCSeries •Resistancesto6Megohms •ResistanceTolerancesto±0.005 •TemperatureCoeffcientsof±2ppm/°C •HighTCRAvailable(Balco&PlatinumWire) •100AcceptanceTested/TraceabletoNIST •LongTermStability/100ppm/year •MatchedResistanceSetst

Riedon

Riedon Inc.

Riedon
120

SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS

●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment

PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD

寶德華股台灣寶德華股有限公司

PRODUCTWELL
120

THREADEDINSERT,BLIND,REGULARHEADSTYLELIGHTDUTY-PRESSIN

文件：106.68 Kbytes Page：1 Pages

WITTEN

Witten Company, Inc.

WITTEN
120

PrecisionWirewoundResistors

文件：318.25 Kbytes Page：2 Pages

Riedon

Riedon Inc.

Riedon
120

TemperatureSensorsLineGuide

文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages

HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions

霍尼韦尔霍尼韦尔国际

Honeywell

IRFD120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFD120

  • 功能描述

    MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRFD120供应商更多...

更新时间：2024-4-25 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
上海意淼电子科技有限公司
IRFD120
ON
23+
DIP
6500
全新原装假一赔十
询价
易创佳业科技（深圳）有限公司
IRFD120PBF
VISHAY
23+
HVMDIP-4 (HEXDIP-4)
295000
原装现货支持送检
询价
深圳市中利达电子科技有限公司
IRFD120PBF
VISHAY/威世
23+
DIP-4
76000
IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13
询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司
IRFD120PBF
VISHAY
22+
HVMDIP
20000
原装正品支持实单
询价
鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司
IRFD120
IR
23+
PLCC44
18000
询价
深圳市卓越微芯电子有限公司
IRFD120PBF
VISHAY
2020+
DIP-4
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市高捷芯城科技有限公司
IRFD120PBF
Infineon(英飞凌)
23+
DIP-4
27048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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深圳市赛能新源半导体有限公司
IRFD120PBF
IR/INFINEON
21+
DIP-4
60000
原装正品进口现货
询价
深圳市博浩通科技有限公司
IRFD120
IR
23+
DIP4
9960
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询
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绿盛电子(香港)有限公司
IRFD120
IR
2015+
HEXDIP
19889
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