型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF840LCSTRR

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SurfaceMountZenerDiodes

Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

8A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH

9Amps竊?00VN-CHANNELMOSFET

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KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

8A竊?00VN-CHANNELMOSFET

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KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

8A500VN-CHANNELMOSFET

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KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

IRF840LCSTRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF840LCSTRR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-4 9:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2450+
TO220
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
IR
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TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
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TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
Vishay Siliconix
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
IR/VISHAY
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16700
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
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TO-263
80000
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06+
原厂原装
9016
只做全新原装真实现货供应
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2015+
TO-262
12500
全新原装,现货库存长期供应
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23+
TO-263
4800
全新原装正品现货,支持订货
IR
23+
TO-263
7000

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