製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 500 V
Id - C連續漏極電流: 8 A
Rds On - 漏-源電阻: 850 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 38 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 125 W
通道模式: Enhancement
系列: IRF
封裝: Tube
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 19 ns
互導 - 最小值: 3.7 S
高度: 4.83 mm
長度: 10.67 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 23 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 26 ns
標準開啟延遲時間: 11 ns
寬度: 9.65 mm
每件重量: 4 g
