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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRF6623TR1 | Application Specific MOSFETs Description The IRF6623 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout | IRF |   | |
Ideal for CPU Core DC-DC Converters Description The IRF6623PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo | IRF | |
IRF6623TR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6623TR1
- 功能描述
MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原厂原装正品现货 |
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INFINEON |
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QFN |
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全新 发货1-2天 |
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Infineon Technologies |
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DirectFET? Isometric ST |
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原厂渠道,现货配单 |
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IOR |
25+ |
DIRECTFE |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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IR |
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PLL |
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IR |
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DIRECTFET |
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2019-3-25
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