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IRF6614TR1

DirectFET Power MOSFET

Description The IRF6614 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET packageis compatible with existing layout

IRF

Ideal for CPU Core DC-DC Converters

文件:275.75 Kbytes Page:10 Pages

IRF

IRF6614TR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF6614TR1

  • 功能描述

    MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-10 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
4692
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
24+
DirectFETtradeIso
7500
Infineon(英飞凌)
2447
DIRECTFET
105000
4800个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
Infineon Technologies
23+
原装
7000
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
IR
05+06+
DirectFET
1442
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon Technologies
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DIRECTFET? ST
1000
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5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon/英飞凌
24+
DIRECTFET
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成

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