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IRF6614TR1

DirectFET Power MOSFET

Description The IRF6614 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET packageis compatible with existing layout

IRF

Ideal for CPU Core DC-DC Converters

文件:275.75 Kbytes Page:10 Pages

IRF

IRF6614TR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF6614TR1

  • 功能描述

    MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 11:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2450+
SMD
6540
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品!
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
IR
23+
DirectFET
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
25+
SMD
11500
原装现货,价格优势
Infineon Technologies
22+
DirectFET? Isometric ST
9000
原厂渠道,现货配单
IR
25+
DirectFET
10000
原装现货假一罚十
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
IR
24+
65230
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
Infineon Technologies
21+
DIRECTFET? ST
1000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!

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