IRF6607TR1价格

参考价格:¥6.5000

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF6607TR1

Power MOSFET

Description The IRF6607 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout ge

IRF

IRF6607TR1

Power MOSFET

Infineon

英飞凌

IRF6607TR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF6607TR1

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-18 10:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
22+
DirectFET? Isometric MT
9000
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IR
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