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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF6601 | DirectFET??Power MOSFET(Vdss=20V) Description The IRF6601 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout ge | IRF |   | |
IRF6601 | DirectFET™ Power MOSFET(Vdss=20V) | INFINEON 英飞凌 | | |
Amplifier Transistors Amplifier Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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IRF6601产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6601
- 功能描述
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
BGA |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
IR |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IOR |
24+ |
QFN |
2372 |
||||
IR |
02+ |
SMD |
1300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
24+ |
SOP |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
IRF |
25+ |
SOP-8 |
15667 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? MT |
4800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
IR |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
IRF6601规格书下载地址
IRF6601参数引脚图相关
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- l100
- ku波段
- kt250
- kse13005
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- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- IRF6626
- IRF6623
- IRF6622
- IRF6621
- IRF6620
- IRF6619
- IRF6618
- IRF6617
- IRF6616
- IRF6614
- IRF6613
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- IRF6611PBF
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2019-3-25
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