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位置：MPS6601G > MPS6601G详情

MPS6601G中文资料

MPS6601G
厂家型号

MPS6601G
文件大小

79.14Kbytes
页面数量

8页
功能描述

Amplifier Transistors

两极晶体管 - BJT 1A 25V NPN
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

MPS6601G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MPS6601G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 1A 25V NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MPS6601G供应商...

更新时间：2025-10-30 17:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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