型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF620A

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 200V ■ Low RDS(ON) : 0.626 Ω(Typ.)

FAIRCHILD

仙童半导体

IRF620A

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Low RDS(on) = 0.626W(TYP) • Lower Input Capacitance • Improved Gate Charge • Extended Safe Operating Area • Rugged Gate Oxide Technology

ISC

无锡固电

IRF620A

Advanced Power MOSFET

ONSEMI

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SuperSOT??80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR

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ZETEX

IRF620A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF620A

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB

更新时间:2026-1-28 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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