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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF6150 | HEXFET Power MOSFET Description True chip-scale packaging is available from International Rectifier. Through the use of advanced processing techniques and a unique packaging concept, extremely low on-resistance and the highest power densities in the industry have been made available for battery and load management a | IRF |   | |
IRF6150 | HEXFET Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | | |
T-1 Subminiature Lamps T-1 Subminiature Lamps T-1 Subminiature Short Type Lamps | GILWAY | | ||
IEC Connector C15 for hot conditions, Rewireable, Angled 文件：278.31 Kbytes Page：3 Pages | SCHURTER 硕特 | | ||
IEC Appliance Inlet C14, mates to Felcom 文件：204.66 Kbytes Page：3 Pages | SCHURTER 硕特 | | ||
IEC Appliance Inlet C14, mates to Felcom 文件：343.9 Kbytes Page：2 Pages | SCHURTER 硕特 | | ||
Non-contacting 文件：671.89 Kbytes Page：3 Pages | TTELEC | |
IRF6150产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6150
- 功能描述
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列
HEXFET®
- 产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装
1
- 系列
- FET
- 型
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
- 功率 -
- 最大
1.4W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
- 包装
Digi-Reel®
- 产品目录页面
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
23+ |
QFN48 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
IR |
25+23+ |
33565 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
||||
IR |
22+ |
BGA |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
T |
2450+ |
QFN |
6540 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
IR |
24+ |
SMD |
10200 |
新进库存/原装 |
|||
IR |
17+ |
DIRECTF |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
16FlipFet? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IR |
1923+ |
BGA |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
IRF6150规格书下载地址
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