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位置：首页 > IC中文资料第1042页 > IRF3707PBF

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF3707PBF

HEXFET Power MOSFET

SMPS MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use ● High Frequency Buck Converters for Compu

IRF

IRF3707PBF

High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use

文件：287.49 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF3707L

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=62A)

SMPS MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use ● High Frequency Buck Converters for C

IRF

IRF3707S

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=62A)

SMPS MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use ● High Frequency Buck Converters for C

IRF

IRFR3707

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A??

Applications High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power Benefits Ultra-Low RDS(on) Very Low Gate Impedance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

IRF

IRFU3707

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A??

Applications High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power Benefits Ultra-Low RDS(on) Very Low Gate Impedance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

IRF

UC3707

Dual Channel Power Driver

文件：335.14 Kbytes Page：8 Pages

TI

德州仪器

IRF3707PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF3707PBF

  • 功能描述

    MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRF3707PBF供应商更多...

更新时间：2026-3-16 22:30:00
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