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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF3205ZSPBF | AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro | IRF |   | |
IRF3205ZSPBF | Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages | IRF | | |
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IRF3205ZSPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF3205ZSPBF
- 功能描述
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+23+ |
TO263 |
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INFINEON |
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IR |
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Infineon/英飞凌 |
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TO-263-3 |
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IR |
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IR |
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Infineon(英飞凌) |
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2019-4-28
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