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IRF3205L中文资料
IRF3205L数据手册规格书PDF详情
VDSS= 55V
RDS(on)= 8.0mΩ
ID= 110A
Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
IRF3205L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF3205L
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-262 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
24+ |
TO-262 |
501142 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
INTERNATIONA |
06+ |
原厂原装 |
4235 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
||||
IR |
23+ |
TO-262 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
35000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
IR |
25+23+ |
TO-262 |
25264 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
IRF3205LPBF 价格
参考价格：￥7.5676
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- IRF5EA1310
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- IRF5NJ6215
- IRF630NL
- JANTX2N6770
- JANTXV2N6760
- PIC16C65-10E/SP
- PIC17LC42-25I/P
- SMI-0805-681
- SMI-1607-331
- SMI-40-390
- SMI-43-120
- SMI-54-680
- SMI-60-220
- SPC-0302-100
- SPC-0302-1R0
- SPC-0302-1R5
- SPC-0303-2R2
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