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IRF200P222

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=182A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

IRF200P222

采用 TO-247AC 封装的 200V 单 N 通道 StrongIRFET ™

Infineon

英飞凌

IRF200P222

UPS and Inverter applications

文件:1.07117 Mbytes Page:17 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-22 23:00:00
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