型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF1312SPBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters • Motor Control • Uninterru

IRF

Speaker Cable, 4 C #12 Str BC-OFHC, PVC Jkt, CM, DIR BUR, Flexible

Product Description Speaker Cable, 4 Conductor 12 AWG (168 x 34) Oxygen-Free Bare Copper (High Conductivity), PE Insulation, PVC Jacket, CM, Direct Burial, Flexible

BELDEN

百通

Precise temperature control

文件:538.07 Kbytes Page:2 Pages

LSTD

莱尔德

Precise temperature control

文件:563.92 Kbytes Page:2 Pages

LSTD

莱尔德

Window “View Port” Plugs

文件:120.92 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

Window “View Port” Plugs

文件:120.92 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

IRF1312SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF1312SPBF

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    HEXFET Power MOSFET

更新时间:2025-11-20 13:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-263
60000
IR
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
25800
原装正品支持实单
IR
23+
TO263
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
2447
SOT263
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
IR
23+
SOT263
48502
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
19+
TO-263
6000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
24+
NA/
3398
原装现货,当天可交货,原型号开票

IRF1312SPBF芯片相关品牌

IRF1312SPBF数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IRF1407PBF

    IRF1407PBF

    2022-7-22
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8