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ASI10612	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI HF150-50S is a 50 V epitaxial transistor designed for SSB communications. The device utilizes emitter ballastiong for ruggedness. FEATURES: • PG = 14 dB min. at 150 W/30 MHz • IMD3 = 100 dBc max. at 150 W(PEP) • Omnigold™ Metalization System • Common Emitter configuratio	ASI	ASI
10612	Nylon PCB Supports - Blind and Key Slot Mount 文件：114.35 Kbytes Page：1 Pages	Heyco	Heyco

IRF10612B供应商更多...

更新时间：2025-12-13 20:00:01

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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8