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芯片资料

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IRF1010NSTRRPBF	AdvancedProcessTechnology 文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
1010	DeadBlowNylonHammers Die-castonepieceheadandhandleofaluminiumalloy.Fittedwithshockabsorbentrubbergrip.Screw-infacesofspecialnylon.Thehollowheadispartiallyfilledwithshotwhichaddstotheweightandpreventsre-bound.Allowingheavyandeffectiveblowswithmaximumimpactcontrol.	THORTHOR communications THOR communications
1010PT	Voltageratingupto3800V 文件：1.35889 Mbytes Page：5 Pages	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
1010PTDO	PhaseControlThyristors 文件：1.3645 Mbytes Page：5 Pages	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
1010VS	HighFrequency,HighCurrentPowerInductors 文件：327.3 Kbytes Page：3 Pages	COILCRAFTCoilcraft 线艺
A1010	HighlyPredictablePerformancewith100AutomaticPlacementandRouting 文件：2.00904 Mbytes Page：98 Pages	ActelActel Corporation Actel 公司

IRF1010NSTRR供应商更多...

更新时间：2024-5-16 23:38:00

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中天科工半导体（深圳）有限公司	IRF1010NSTRRPBF	INFINEON	20+	原装	65790	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市晴轩时代电子有限公司	IRF1010NSTRRPBF	Infineon/英飞凌	21+	D2PAK	8800	公司只作原装正品	询价
深圳市九方航科技有限公司	IRF1010NSTRRPBF	Infineon/英飞凌	23+	D2PAK	7188	秉承只做原装终端我们可以提供技术支持	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IRF1010NSTRRPBF	IR	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
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深圳市芯福林电子科技有限公司	IRF1010NSTRRPBF	Infineon Technologies	21+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市中赛美电子科技有限公司	IRF1010NSTRRPBF	Infineon/英飞凌	23+	D2PAK	12700	买原装认准中赛美	询价
深圳市中飞芯源科技有限公司	IRF1010NSTRRPBF	INFINEON/英飞凌	23+	D2PAK	88000	原装，可配单	询价
深圳市诺美思科技有限公司	IRF1010NSTRRPBF	IR	22+/23+	TO-263	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳市振宏微科技有限公司	IRF1010NSTRRPBF	INTREC	23+	NA	640	专做原装正品,假一罚百!	询价

IRF1407PBF
IRF1407PBF
2022-7-22
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8