IRF1010NS价格

参考价格:¥3.7690

型号:IRF1010NSPBF 品牌:IR 备注:这里有IRF1010NS多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF1010NS批发/采购报价,IRF1010NS行情走势销售排行榜,IRF1010NS报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF1010NS

Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A??

Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p

IRF

IRF1010NS

Fully Avalanche Rated

Description The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low inter

KERSEMI

IRF1010NS

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:263.33 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF1010NS

55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

Infineon

英飞凌

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p

IRF

Advanced Process Technology

文件:298.2 Kbytes Page:11 Pages

IRF

Advanced Process Technology

文件:298.2 Kbytes Page:11 Pages

IRF

Advanced Process Technology

文件:298.2 Kbytes Page:11 Pages

IRF

Advanced Process Technology

文件:298.2 Kbytes Page:11 Pages

IRF

Dead Blow Nylon Hammers

Die-cast one piece head and handle of aluminium alloy. Fitted with shock absorbent rubber grip. Screw-in faces of special nylon. The hollow head is partially filled with shot which adds to the weight and prevents re-bound. Allowing heavy and effective blows with maximum impact control.

THOR

1010 Pressure Gauge

FEATURES Solid-front case design for safety Wide selection of Bourdon tube materials and pressure ranges PLUS!™ Performance option to dampen vibration, shock and pulsation effects to provide a liquid-fill performance in a dry gauge

ASHCROFT

雅斯科

Colorful Square Tactile Button Switch Assortment - 15 pack

文件:107.37 Kbytes Page:1 Pages

Adafruit

Voltage rating up to 3800V

文件:1.35889 Mbytes Page:5 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

Phase Control Thyristors

文件:1.3645 Mbytes Page:5 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

IRF1010NS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF1010NS

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-21 19:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO263
880000
明嘉莱只做原装正品现货
IR
13+
TO-263
265
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INTREC
23+
NA
640
专做原装正品,假一罚百!
IR
2430+
TO263
8540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
INFINEON/英飞凌
2511
TO263-3
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
IR
16+
TO-263
177
Infineon
23+
D2PAK
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
IR
TO-263
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
INFINEON/英飞凌
24+
TO263
42000
只做原装进口现货
IR
25+
TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售

IRF1010NS数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8