型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF1010NLPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p

IRF

IRF1010NLPBF

Advanced Process Technology

文件:298.2 Kbytes Page:11 Pages

IRF

IRF1010NLPBF

Advanced Process Technology

文件:298.2 Kbytes Page:11 Pages

IRF

IRF1010NLPBF

Advanced Process Technology

Infineon

英飞凌

1010 Pressure Gauge

FEATURES Solid-front case design for safety Wide selection of Bourdon tube materials and pressure ranges PLUS!™ Performance option to dampen vibration, shock and pulsation effects to provide a liquid-fill performance in a dry gauge

ASHCROFT

雅斯科

Dead Blow Nylon Hammers

Die-cast one piece head and handle of aluminium alloy. Fitted with shock absorbent rubber grip. Screw-in faces of special nylon. The hollow head is partially filled with shot which adds to the weight and prevents re-bound. Allowing heavy and effective blows with maximum impact control.

THOR

Colorful Square Tactile Button Switch Assortment - 15 pack

文件:107.37 Kbytes Page:1 Pages

Adafruit

Voltage rating up to 3800V

文件:1.35889 Mbytes Page:5 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

Phase Control Thyristors

文件:1.3645 Mbytes Page:5 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

IRF1010NLPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF1010NLPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 85A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-21 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
TO-262-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
Infineon/英飞凌
24+
TO-220-3
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
Infineon/英飞凌
24+
TO-220-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
IR
25+23+
TO-220
27273
绝对原装正品全新进口深圳现货
IR
23+
TO-262
43000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Infineon/英飞凌
21+
TO-220-3
6820
只做原装,质量保证
Infineon(英飞凌)
2447
TO-220-3
105000
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货

IRF1010NLPBF数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8