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MOSFET StrongIRFETª

Features • Very low RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) (FOM) • Optimized Qrr • 175°C operating temperature • Product validation according to JEDEC standard • Optimized for broadest availability from distribution partners

Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 209A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.28mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · DC-DC Converters · Motor Drive · Power Switch

ISC

无锡固电

UPS and Inverter applications

文件:1.07159 Mbytes Page:17 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-15 17:17:01
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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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