| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Single-Ended Cordsets Basic features Approval/Conformity CE cULus EAC WEEE | Balluff 巴鲁夫 |   | ||
CBL-0349L Supermicro Compatible Direct Attach Copper Twinax Cable 10G SFP Cu (5m, Passive) Features ATGBICS CBL-0349L compatible 10GBase-CU SFP+ to SFP+ direct attach cable operates over passive copper with a cable length of 5m. It is suitable for short reach connection between two SFP+ ports in 10G interconnecting networking applications. Our product meets the specification of Super | ATGBICS | | ||
Surface mount, silver (Ag) coated barium ceramic filter. 文件：73.21 Kbytes Page：2 Pages | CTS 西迪斯 | | ||
Surface mount, silver (Ag) coated barium ceramic filter. 文件：73.32 Kbytes Page：2 Pages | CTS 西迪斯 | | ||
Surface mount, silver (Ag) coated barium ceramic filter. 文件：79.32 Kbytes Page：2 Pages | CTS 西迪斯 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MINI |
24+ |
SMD |
3600 |
MINI专营品牌全新原装正品假一赔十 |
|||
MINI |
2020+ |
3000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
||||
Mini-circuits |
原厂封装 |
452 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
MINI |
22+ |
NA |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
|||
電磁干擾抑制器 |
23+ |
180000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
Z-COMM |
23+ |
N/A |
10000 |
原装现货 假一赔十 |
|||
Mini-circ |
24+ |
SMD |
3200 |
进口原装假一赔百 |
|||
Mini-Circuits |
2023+ |
GM1006-1.5 |
25 |
专业销售MINI电子元件,常年备有大量库存 |
|||
MINI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
||||
MINI |
23+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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IRF0349参数引脚图相关
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进口代理
2025-4-2IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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