位置：首页 > IC中文资料 > IRE-12/10-Q12PF-C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRE-12/10-Q12PF-C | 封装/外壳：八分之一砖 包装：托盘 描述：DC DC CONVERTER 12V 120W 电源 - 板安装 直流转换器 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
IRE-12/10-Q12PF-C | Encapsulated Eighth-Brick DOSA-Compatible | MuRata 村田 | | |
120W Encapsulated Eighth-Brick EN50155-Compliant Wide 4:1 Input Isolated DC-DC Converters High efficiency synchronous forward topology. 9 – 36 Volts DC wide input range. 5/12/24 V, up to 120 W total output power. Standard and Flanged baseplate options. Industry standard 1/8 brick format & pinout. Extensive self-protection features, including over-temperature shutdown. Small foo | MuRata 村田 | | ||
Eighth-Brick DOSA-Compatible Wide Input Isolated DC-DC Converters High efficiency @ 12Vout, 92 Up to 120 Watts total output power DOSA 1/8 brick pinout Over Temperature Protection (OTP) Over Current Protection (OCP) Over Voltage Protection (OVP) 2250Vdc I/O insulation Operating temperature range -40 to 85°C (with derating) Pre-bias startup support | MuRata 村田 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
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2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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