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IRDC3843W价格

参考价格：￥651.1641

型号：IRDC3843W 品牌：IR 备注：这里有IRDC3843W多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRDC3843W批发/采购报价，IRDC3843W行情走势销售排行榜，IRDC3843W报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
IRDC3843W	USERGUIDEFORIR3843WEVALUATIONBOARD 文件：868.15 Kbytes Page：17 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRDC3843W	包装：盒描述：BOARD EVAL FOR IR3843W 2A CONV 开发板，套件，编程器评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
3843CM	CURRENTMODEPWMCONTROLLER GeneralDescription TheAP3842C/3C/4C/5Carehighperformancefixedfrequencycurrent-modePWMcontrollerseries. Features •LowStart-upCurrent:50µA •RobustVREFLine/LoadRegulation LowLineRegulation:4mV LowLoadRegulation:4mV •HighStabilityofReferenceVoltageo	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
3843CMTR	CURRENTMODEPWMCONTROLLER GeneralDescription TheAP3842C/3C/4C/5Carehighperformancefixedfrequencycurrent-modePWMcontrollerseries. Features •LowStart-upCurrent:50µA •RobustVREFLine/LoadRegulation LowLineRegulation:4mV LowLoadRegulation:4mV •HighStabilityofReferenceVoltageo	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
3843CP	CURRENTMODEPWMCONTROLLER GeneralDescription TheAP3842C/3C/4C/5Carehighperformancefixedfrequencycurrent-modePWMcontrollerseries. Features •LowStart-upCurrent:50µA •RobustVREFLine/LoadRegulation LowLineRegulation:4mV LowLoadRegulation:4mV •HighStabilityofReferenceVoltageo	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
3843	AdapterTypeN,(M-F)RightAngle 文件：19.85 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics
3843B	HIGH-PERFORMANCECURRENT-MODEPWMCONTROLLERS 文件：343.19 Kbytes Page：21 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司

IRDC3843W产品属性

类型
描述
型号
IRDC3843W
功能描述
电源管理IC开发工具 User Guide IR3843W Eval Brd
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
产品
Evaluation Kits
类型
Battery Management
工具用于评估
MAX17710GB
输出电压
1.8 V

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更新时间：2024-4-18 16:30:00

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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
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IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
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特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8

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