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IRD3CH9DF6 | 包装：散装 描述：DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | Infineon 英飞凌 |   | |
IRD3CH9DF6 | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Infineon 英飞凌 | |
更新时间：2025-12-13 17:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
SIP19 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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IR |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IR |
25+ |
QFN |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
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IR |
17+ |
SIP19 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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IR |
18+ |
module |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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INFINEON |
23+ |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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INFINEON |
23+ |
7000 |
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IR |
23+ |
SIP19 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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IR |
1923+ |
SIP19 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
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N/A |
24+/25+ |
500 |
原装正品现货库存价优 |
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2020-4-18IRA-S210ST01
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2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
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